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- 2023-06-24 发布于四川
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一种大尺寸单晶硅片的清洗方法,其包括如下步骤,预处理:通过离心机对大尺寸单晶硅片进行离心预处理,去除大尺寸单晶硅片上的大颗粒杂质及残留液体;清洗箱抽真空:关闭阀门一、二、四、五,确认清洗箱内无其他阀门打开;开启真空泵将清洗箱内抽真空,并时刻观察清洗箱内压力和湿度数值,此步骤为预抽真空以使清洗箱内达到要求的洁净度;本发明结构新颖,构思巧妙,干冰微粒喷射清洗技术可以无损伤地清洗硅片,不仅有效减少了对水资源、化学试剂等能源的浪费,同时解决了传统清洗工艺污染环境的问题,本发明通过干冰微粒喷射清洗设备实现
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116313740 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202111567167.2
(22)申请日 2021.12.20
(71)申请人 高佳太阳能股份有限公司
地址 2
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