一种低阈值电压CMOS器件的省版方法.pdfVIP

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2023-06-24 发布于四川
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一种低阈值电压CMOS器件的省版方法.pdf

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本申请提供一种低阈值电压CMOS器件的省版方法，包括：提供一衬底，在衬底中形成埋层；在衬底上形成外延层；在外延层上涂覆光刻胶；调用BCD工艺平台中的具有漏极漂移区图案的掩模版；使用该掩模版将漏极漂移区图案转移至光刻胶中；以该光刻胶为掩模，实施一离子注入，在外延层中形成低压阱区。根据本申请，可以不增加新的具有低压阱区图案的掩模版，从而降低制造成本。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314031 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202211086764.8 (22)申请日 2022.09.07 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址