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公开了一种半导体器件，该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸，该半导体器件包括：至少一个EM辐射吸收层，该至少一个EM辐射吸收层沉积在第一层表面上并且包括至少一种颗粒结构的不连续层，该至少一种颗粒结构包括沉积材料。该至少一个EM辐射吸收层的该至少一种颗粒结构促进吸收其中的在可见光谱和UV光谱中的至少一者的至少一部分中的EM辐射，同时基本上允许透射其中的在IR光谱和NIR光谱中的至少一者的至少一部分中的EM辐射。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116323473 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202180074135.0 (87)PCT国际申请的公布数据
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