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具有包括再生长中心部分的源极或漏极结构的全环栅集成电路结构.pdfVIP

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  • 2023-06-24 发布于四川
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具有包括再生长中心部分的源极或漏极结构的全环栅集成电路结构.pdf

    描述了具有包括再生长中心部分的源极或漏极结构的全环栅集成电路结构，以及制造具有包括再生长中心部分的源极或漏极结构的全环栅集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括纳米线的垂直布置。栅极堆叠体在纳米线的垂直布置上方。第一外延源极或漏极结构在纳米线的垂直布置的第一端处。第二外延源极或漏极结构在纳米线的垂直布置的第二端处。第一或第二外延源极或漏极结构中的一个或两个具有在外部部分内的中心部分，以及在中心部分和外部部分之间的界面。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314196 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202211473362.3 (22)申请日 2022.11.21 (30)优先权数据

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