八MOS场效应晶体管的基本特性模板.pptxVIP

八MOS场效应晶体管的基本特性模板;;双极型晶体管和场效应晶体管的区别;场效应晶体管的分类;MOSFET相比双极型晶体管的优点;MOSFET相比双极型晶体管的缺点;8.1 MOSFET的结构和分类;P沟MOS管的工作原理 ; 在工作时，源与漏之间接电源电压。通常源极接地，漏极接负电源。在栅极和源之间加一个负电压，它将使MOS结构中半导体表面形成负电的表面势，从而使由于硅－二氧化硅界面正电荷引起的半导体能带下弯的程度减小。当栅极负电压加到一定大小时，表面能带会变成向上弯曲，半导体表面耗尽并逐步变成反型。当栅极电压达到VT时，半导体表面发生强反型，这时P型沟道就形成了。空穴能在漏－源电压VDS的作用下，在沟道中输运。VT称为场效应管的开启电压。显然，P沟MOS管的VT是负值。由前面的讨论可知，形成沟道的条件为 ; 表面强反型即沟道形成时，在表面处空穴的浓度与体内电子的浓度相等。开启电压是表征MOS场效应管性能的一个重要参数，以后内容中还将做详细介绍。 另外，还可以指出，当栅极电压变化时，沟道的导电能力会发生变化，从而引起通过漏和源之间电流的变化，在负载电阻RL上产生电压变化，这样就可以实现电压放大作用。; MOSFET的四种类型;;;第14页/共65页;; 如果在同一N型衬底上同时制造P沟MOS管和N沟MOS管，（N沟MOS管制作在P阱内），这就构成CMOS 。;;练习; MOSFET的特征;3．高输入阻抗 由于栅氧化层的影响，在栅和其他端点之间不存在直流通道，因此输入阻抗非常高，而且主要是电容性的。通常，MOSFET的直流输入阻抗可以大于1014欧。 4．电压控制 MOSFET是一种电压控制器件。而且是一种输入功率非常低的器件。一个MOS晶体管可以驱动许多与它相似的MOS晶体管；也就是说，它有较高的扇出能力。 5．自隔离 由MOS晶体管构成的集成电路可以达到很高的集成密度，因为MOS晶体管之间能自动隔离。一个MOS晶体管的漏，由于背靠背二极管的作用，自然地与其他晶体管的漏或源隔离。这样就省掉了双极型工艺中的既深又宽的隔离扩散。;8.2 MOSFET的特性曲线;源极接地，并作为输入与输出的公共端，衬底材料也接地。 输入加在栅极G及源极S之间，输出端???漏极D与源极S。 ; 对于N沟道增强型管，VDS为正电压，VGS也是正电压。当VGS大于开启电压时，N沟道形成，电流通过N沟道流过漏和源之间。 定性地可以将它分为三个工作区来进行讨论。 ; 可调电阻区的范围为VDSVGS-VT，即保证漏端沟道存在的条件。图8-9（a）表示N沟道增强管VT＝2V，VGS=6V，VDS=0时的沟道情况。此时沟道中各点电位相同，因此沟道厚度各处相同，IDS＝0。 图（b）表示当VT＝2V，VGS=6V，VDS=2V时的沟道情况。这时漏端沟道厚度比源端薄，由于相差不大，仍可近似看成均匀。;; 当VDS继续增加时，例如从2V变到4V时，漏端沟道越来越薄，电阻越来越大，IDS随VDS上升减慢，IDS~VDS的直线关系变弯曲。当VDS＝4V时，漏端处VGS-VDS=VT。这时漏端的沟道进入夹断的临界状态，处于可调电阻工作区与下面要讨论的饱和工作区的边界。IDS将成为漏－源饱和电流IDSS。 图8-10给出了不同VGS时的IDS~VDS关系，即输出特性曲线，其中区域Ⅰ为可调电阻工作区。;;饱和工作区 ;;沟道长度调变效应 ;雪崩击穿区 ;第32页/共65页; 可以用相似的方法讨论N沟道耗尽型， P沟道增强型，P沟道耗尽型MOSFET的输出特性曲线，它们分别如图8-12（b）~（d）所示。;第34页/共65页;MOSFET的转移特性曲线 ;第36页/共65页;第37页/共65页;8.3 MOSFET的阈值电压;N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压Vp ;P沟道增强型MOSFET的开启电压VT ;P沟道耗尽型MOSFET的夹断电压Vp ;8.4 MOSFET的伏安特性 ;线性工作区的伏安特性 ;;饱和工作区的伏安特性 ; 严格来讲，饱和工作区的电流不是一成不变的。因为这时实际的有效沟道长度减小了。当VDS增大时，由于沟道长度减小，IDSS将随之增加。;击穿区 ;第48页/共65页;第49页/共65页;8.5 MOSFET的频率特性 ;跨导gm ;跨导标志了MOSFET的电压放大本领， 因为电压增益可表示为：;饱和工作区 ;提高跨导的方法 ;MOSFET最高振荡频率;8.6 MOSFET的开关特性 ;CMOS倒相器 ;第58页/共65页; 当输入脉冲为零时，倒相器处于截止态。这时VGS=0，倒相管处于截止状态。由于负