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一种基于K折交叉验证集成学习模型的GAAFET电容特性预测方法，通过TCAD仿真软件建立GAAFET器件模型；通过改变设计参数，得到多条不同设计条件下的电容‑电压特性曲线，以相同的电压间隔，从每条曲线中取出N个数据点作为训练集成学习模型的数据集，按比例划分成训练集、交叉验证集和测试集，并通过K折交叉将训练集划分为K个子集；集成学习模型的输入为一组设计参数，输出为GAAFET器件电容特性；利用数据集训练集成学习模型，满足要求的模型用于不同参数以及不同工作条件下的GAAFET器件电容特性预测。本发明
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116306402 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202211582911.0
(22)申请日 2022.12.08
(71)申请人 西安电子科技大学
地址 7100
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