半导体物理学[第二章半导体中的杂质和缺陷能级]课程复习.pdf

丹青不知老将至，贫贱于我如浮云。——杜甫 山东大学《半导体物理》期末复习知识点 第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 (1)在纯净的半导体中掺入少量其他元素杂质，对半导体性能有很大影响。 根据杂质原子在晶体中存在的位置，可分为间隙式和替位式两种。后者在半导体 中应用较多。 由于杂质的存在，使该处的周期性势场受到扰乱，因而杂质的电子不可能处于正 常的导带和价带中，而是在禁带中引入等高的分立能级，即杂质能级。根据杂质 能级在禁带中所处的位置不同，分为深能级杂质和浅能级杂质。又根据杂质电离 后施放电子还是空穴，分为施主和受主杂质两类。 (2)杂质原子电离后，向导带提供电子，而自身成为不可移动的带正电离子， 使半导体成为 n 型，这种杂质称为施主杂质；杂质原子电离后，接收价带中电子， 使价带中增加空穴，成为 p 型半导体，而自身成为不可移动的带负电的离子，这 种杂质称为受主杂质。 如果施、受主能级分别离导带底和价带顶很近，电离能很小，在常温下杂质 基本全部电离，使导带或价带增加电子或空穴，这些杂质称浅能级杂质，它的重 要作用是改变半导体的导电类型和调节半导体的导电能力。如Ⅳ族元素半导体中 Ⅲ、Ⅴ族杂质和大多数Ⅲ-Ⅴ族半导体中的Ⅱ、Ⅵ族杂质，大都成为重要的浅能 级杂质而得到使用。 (3)浅能级杂质的电离能可以通过类氢原子模型进行估算，经修正后施主杂 质电离能可表示为 * * 式中，E =13．6eV 为氢原子基态电离能； ε为半导体的相对介电常数；m ，m 0 r n p 分别为电子和空穴的电导有效质量。 (4)半导体中同时掺入施主和受主杂质，它们具有相互补偿的作用，施主能 好学近乎知，力行近乎仁，知耻近乎勇。——《中庸》 勿以恶小而为之，勿以善小而不为。——刘备 山东大学《半导体物理》期末复习知识点 级上的电子会落入受主能级上，使两者均被电离，但不会给导带和价带提供电子 和空穴。补偿的程度由施、受主杂质浓度来确定：(N—N )＞O，成为含有受主的 D A n 型半导体； (N—N )＜O 成为含有施主的 p 型半导体；N ≈N 为重补偿情况，与 D A D A 本征半导体相似，但若两者的浓度均很高，会对半导体质量产生严重影响。用杂 质补偿的办法，往往是借以改变半导体导电类型作为制造各种半导体器件的基 础。 (5)一般非Ⅲ、Ⅴ族元素在Ⅳ族元素半导体中，非Ⅱ、Ⅵ族元素在Ⅲ-Ⅴ族化 合物半导体中，它们在禁带中引入的能级，施主离导带底较远，受主离价带顶较 远，在常温下它们不能达到强电离，称它们为深能级杂质。深能级杂质既可引入 施主又可引入受主，同时还可能发生多重电离。它的掺入不仅对浅能级杂质起补 偿作用，而且往往成为非平衡载流子的复合中心。Au 在 Si、Ge 中的多重能级状 况，就是一个深能级杂质作用的典型例子。 (6)半导体中的缺陷和位错，也在禁带中引入能级，既可以是施主又可以是 受主，多为深能级。 古之立大事者，不惟有超世之才，亦必有坚忍不拔之志。——苏轼