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- 2023-06-25 发布于四川
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本发明提出了一种区熔法制备高纯铟的装置，包括中空壳体以及处于中空壳体侧壁的进气口和出气口，所述中空壳体内还设有石墨料舟，石墨料舟通过加热组件进行加热，所述石墨料舟为两端封顶端开口的U型槽状结构，所述石墨料舟的U型槽内壁均布若干气孔，所述气孔通过石墨料舟内的气道连通至进气管，所述进气管连接至进气口。本发明将蒸馏法制备的3～4N铟作为原料，可以很好的除去其中的杂质相Fe、Co、Ni、Cu等，得到纯度为6～8N的铟。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116287792 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310255330.4
(22)申请日 2023.03.14
(71)申请人 武汉拓材科技有限公司
地址 43
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