一种复合多层金属基板及其制备方法、一种功率半导体器件.pdfVIP

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2023-06-25 发布于四川
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一种复合多层金属基板及其制备方法、一种功率半导体器件.pdf

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本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种复合多层金属基板及其制备方法、一种功率半导体器件。包括以下步骤：在反应腔内固定好靶材和基板，并加热基板；开启第一激光器轰击第一贵金属靶材，在基板上沉积第一贵金属薄膜；第一激光器停止工作，开启第二激光器轰击第二贵金属靶材，在第一贵金属薄膜上沉积第二贵金属薄膜；使第一脉冲激光的轰击靶材转换为第一自蔓延金属靶材，第二脉冲激光的轰击靶材转换为第二自蔓延金属靶材；交替使第一激光器和第二激光器工作，形成自蔓延金属薄膜，即得。该方法制备所得金属基板，既具有抗氧化效果，也具

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116313825 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310054856.6 (22)申请日 2023.02.03 (71)申请人北京工业大学