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本发明公开一种柔性显示集成器件及其制备方法，涉及功率半导体领域，该器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层；缓冲层和n型GaN层均为凸行结构；第一钝化层覆盖在自下而上依次设置的整体的上方，薄膜沟道层覆盖在第一钝化层顶端的上方，第二钝化层覆盖在第一钝化层和薄膜沟道层构成的整体的上方；阴极的顶部被第二钝化层覆盖，底部与n型GaN层连接；源极/阳极的顶部被薄膜沟道层覆盖，底部与p型GaN层连接，漏极的顶端被薄膜沟道层覆盖，底端与第一钝化层的上表面连接；栅极位于源极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116314237 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310064065.1
(22)申请日 2023.01.12
(71)申请人 上海大学
地址 200444
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