一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤.pdf

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本发明公布了一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，该光纤包括高折射率的纤芯，包覆于纤芯外表面的低折射率包层以及包覆与包层外表面的高分子涂覆层，其中纤芯的横截面为非圆形，可以是方形、椭圆形和矩形等与边发射半导体激光输出的光斑阵列相匹配的形状。该光纤可以提高光纤横截面有效耦合面积的利用率，提高半导体激光的输出功率密度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113572004 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202110849321.9 审查员郑子川 (22)申请日 2021.07.27