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- 2023-06-26 发布于四川
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本发明实施例公开了一种用于外延处理期间承载硅片的基座及用于硅片的外延的设备和方法，所述基座包括：本体；涂覆于所述本体的多晶硅层，以使得所述硅片承载于所述基座时与所述多晶硅层接触。根据本发明的基座避免了接受外延处理的硅片的温度不均匀问题，能够使受温度影响的外延层的厚度在整个硅片上更加均匀。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116288692 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310304245.2 C23C 16/458 (2006.01)
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