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本发明涉及微发光二极管显示器件及其制作方法。通过对每个所述微发光二极管单元的四个侧面进行刻蚀处理，以在每个侧面上均形成多个贯穿孔，接着沉积介电材料层以覆盖每个所述微发光二极管单元的侧壁和上表面，且所述介电材料层具有暴露每个所述微发光二极管单元的所述N型半导体层的开口。接着沉积金属材料层以覆盖每个所述微发光二极管单元的侧壁和上表面且填满所述贯穿孔，接着对所述金属材料层进行刻蚀处理，以形成相互间隔设置的电引出结构和热引出结构，所述电引出结构与所述N型半导体层电连接，且所述热引出结构围绕所述电引出结构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113594198 B
(45)授权公告日 2021.12.28
(21)申请号 202111169189.3
(22)申请日 2021.10.08
(65)同一申请的
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