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本发明公开了一种高阶芯片的失效分析方法，该方法包括：提供待分析样品；待分析样品为已去除封装层的高阶芯片；待分析样品包括待分析的感兴趣区域；采用物理研磨法和/或双束电浆离子束依序剥离至少部分功能层，并对暴露于最外侧的功能层的感兴趣区域进行电性测试，且在根据电性测试的测试结果，确定当前暴露于最外侧的功能层中存在故障区域时，停止对功能层的剥离；将待分析样品的故障区域取出，以制得TEM样品；采用透射电子显微镜，获取TEM样品的TEM影像；根据TEM影像，确定故障区域的缺陷位置和缺陷类型。本发明的技术方案
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116298810 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310339554.3 G01N 23/20008 (2018.01)
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