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半导体制造工艺的监测方法及监测装置.pdfVIP

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  • 2023-06-26 发布于四川
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半导体制造工艺的监测方法及监测装置.pdf

    本公开涉及及一种半导体制造工艺的监测方法及监测装置。所述半导体制造工艺监测方法包括如下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括待去除的材料层；获取需要去除的所述材料层的理论质量MT；去除所述材料层；获取已去除的所述材料层的实际质量MR；根据所述实际质量MR与所述理论质量MT监测所述材料层在所述半导体结构中的残留情况。本公开采用非破坏性的方法实现对材料层残留情况的监测，确保了半导体制造工艺的顺利进行。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116313868 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310296213.2 (22)申请日 2023.03.22 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址

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