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本实用新型公开了一种具有横向PIN光电二极管的硅基锗图像传感器，其包括：PIN光电二极管层，包括锗衬底、形成于锗衬底中的隔离结构以及PIN光电二极管，其中，所述隔离结构用于限定横向PIN光电二极管的阵列区域，横向PIN光电二极管形成于所述阵列区域中；与横向PIN光电二极管相连的第一互连层；硅电路晶圆，包括用于控制和读取横向PIN光电二极管的电路以及至少一个第二互连层，其中，横向PIN光电二极管层借由第一互连层与第二互连层的键合与硅电路晶圆相连。本实用新型的具有横向PIN光电二极管的硅基锗图像传感
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219246682 U
(45)授权公告日 2023.06.23
(21)申请号 202221183078.8
(22)申请日 2022.05.17
(73)专利权人 浙江兴芯半导体有限公司
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