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本公开提供了具有复合衬底的发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。衬底主体的第一表面层叠有接触层,接触层用于放置在外延生长设备的托盘的圆形凹槽内。接触层包括的凸起与圆形凹槽的底面直接点接触,相邻的两个凸起之间则存在有较大的空间。衬底主体及外延层的实际受热主要来自衬底主体和圆形凹槽的底面之间的空隙内的气体,传热方式较为均匀。并且凸起的结构上宽下窄,凸起的形变幅度较小,则凸起传递的形变较小,可以降低形变导致的外延片的翘曲的程度,最终得到的外延片的翘曲程度减小,出光波长均匀度得到提高。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113594319 B
(45)授权公告日 2022.08.12
(21)申请号 202110640842.3 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 2021.06
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