一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法，其中，包括：提供外延层；在外延层上进行光刻，得到沟槽；沿着沟槽内侧生长一层氧化层；在生长氧化层后的沟槽内沉积第一次多晶硅；对第一次多晶硅进行离子刻蚀得到沿着沟槽侧壁的三角多晶硅侧壁残余层；将三角多晶硅侧壁残余层形成全氧化层；在全氧化层上沉积第二次多晶硅并进行刻蚀得到源极多晶硅；将全氧化层进行刻蚀至与源极多晶硅齐平；在源极多晶硅上形成IPO层，以及在全氧化层上形成闸极氧化层；在IPO层上沉积第三次多晶硅，并刻蚀得到屏蔽闸沟

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113571421 B (45)授权公告日 2021.12.24 (21)申请号 202111122643.X 审查员卢振宇 (22)申请日 2021.09.24