一种用于瞬态抑制器的低触发高鲁棒性SCR器件及保护电路.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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一种用于瞬态抑制器的低触发高鲁棒性SCR器件及保护电路.pdf

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本发明提供一种用于瞬态抑制器的低触发高鲁棒性SCR器件及保护电路，通过第一N型重掺杂区、第一P阱、N阱以及与阳极端口连接的第二P型重掺杂区构成了第一个SCR器件；通过与阳极端口连接的第二P型重掺杂区、第二P阱、N阱以及与阴极端口连接的第三N型重掺杂区构成了第二个SCR器件；同时通过第二P阱、N阱、第一栅氧化层、第二栅氧化层构成了RC电路；通过第三N型重掺杂区、第四N型重掺杂区和第二栅氧化层构成了寄生NMOS器件，提高了SCR器件的可控性和运行可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113571513 B (45)授权公告日 2022.01.04 (21)申请号 202111111116.9 (56)对比文件