micro-LED芯片的衬底剥离与键合方法.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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本发明公开了一种micro‑LED芯片的衬底剥离与键合方法。针对micro‑LED芯片的转移，本发明通过在micro‑LED芯片衬底上刻出一系列沟槽，通过沟槽注入BOE刻蚀溶液，腐蚀掉衬底与外延片之间得二氧化硅阵列，减小衬底与外延之间的结合力后，通过激光剥离等技术将衬底去除掉，实现micro‑LED芯片的衬底剥离。通过移动电路板至晶圆上方，移动电路板对齐晶圆，加热电路板将焊料熔化，施加压力将电路板和晶圆连接在一起，通过上述的衬底剥离技术将衬底剥离，实现芯片的键合以及转移。本发明能够将micro‑

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314540 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310340456.1 (22)申请日 2023.03.31 (71)申请人武汉大学地址 430072