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本发明的实施例提供了一种MRAM器件，包括：第一介电层，位于衬底上方且具有第一开口；第二介电层，位于第一介电层上方并且具有第二开口；可变电阻存储单元，包括第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的磁性隧道结层，第一电极位于第一开口中且具有矩形截面，第一电极的顶面与磁性隧道结层的底面接触，第二电极和磁性隧道结层位于第二开口中；磁性隧道结层具有U‑形状截面并且包围第二电极的侧壁和底面；第二电极的顶面与第二介电层的顶面共面；第二介电层包括蚀刻停止层和位于蚀刻停止层上方的中间层，第一电极的外围
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116322275 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310358975.0 H10N 50/01 (2023.01)
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