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本申请涉及半导体技术领域，公开了一种MIM电容器制备方法及MIM电容器，包括：在基底上沉积初始底层金属；在所述初始底层金属上沉积初始介质层，且在所述初始介质层上沉积初始顶部金属；刻蚀所述初始顶部金属以及所述初始介质层，得到用作上电极的目标顶部金属以及中间介质层；在所述目标顶部金属以及所述中间介质层上沉积初始隔离层，且在所述初始隔离层上沉积初始钝化层，所述初始隔离层包裹所述目标顶部金属以及覆盖所述中间介质层；光刻并刻蚀所述初始钝化层，形成目标钝化层、目标隔离层、目标介质层以及用作下电极的目标底层金
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116322297 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310554949.5
(22)申请日 2023.05.17
(71)申请人 粤芯半导体技术股份有限公司
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