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本发明公开了一种编码不规则磁栅尺的编码充磁方法，包括以下步骤：步骤A、将磁栅尺的N、S磁极编码存储在存储器中，存储器中的每m个字节记载一段包含磁极以及该磁极连续排列的基准极宽个数的编码信息；步骤B、将待充磁的磁栅尺装入充磁工装，充磁工装包括为充磁头线圈提供电流的充磁电源和改变磁栅尺与充磁头相对位置的位移电机；步骤C、控制器读取步骤A中存储器存储的多段编码信息，从而得到一套沿磁栅尺长度方向排列的N、S磁极编码充磁信息；步骤D、根据步骤C中解析得到的充磁信息，控制器控制充磁电源的变化与位移电机的运动
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113593810 B
(45)授权公告日 2021.12.03
(21)申请号 202111148914.9 (56)对比文件
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