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本发明涉及金刚石抛光技术领域,公开了一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法,包括:S1、在未抛光的金刚石晶片的表面加工划痕;S2、测量划痕的深度h0;S3、对金刚石晶片具有划痕的表面进行抛光,记录抛光所用的时间t;S4、测量金刚石晶片抛光后的划痕的深度h;S5、根据MRR=(h0‑h)/t计算材料去除率MRR。由于金刚石的硬度极大,抛光加工MRR极低,难于快速准确的计算,本发明采用的材料去除率计算方法中,利用表面轮廓仪测量金刚石抛光前后表面划痕深度变化。其测量直观方便,且测量结果准性高、精度高,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113618502 B
(45)授权公告日 2023.03.31
(21)申请号 202110930698.7 B24B 29/02 (2006.01)
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