碳化硅单晶体的制备方法.pdfVIP

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2023-06-27 发布于四川
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碳化硅单晶体的制备方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及碳化硅单晶体的制备方法；本发明的碳化硅单晶体的制备方法包括提供硅衬底，硅衬底的尺寸为8‑12英寸；在硅衬底上外延生长一层碳化硅；将硅衬底剥离，以得到碳化硅外延层；用物理气相传输法对碳化硅外延层进行碳化硅单晶生长。本发明的碳化硅单晶体的制备方法便于制备出尺寸为8‑12英寸的碳化硅单晶体。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113622030 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202110947038.X C30B 25/18 (2006.01) (22)申请日 2021.08