西北大学《模拟电路基础》课件-第2章二极管及其应用.pptVIP

（五）PN结电容 ?势垒电容CB：是由空间电荷区的离子薄层形成的。 当外加电压不同时，耗尽层的电荷量随外加电压的变化而增多或减少，与电容的充放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容为势垒电容。 电容器：当在电容器极板上加电压后，两极板上可分别聚集起等 量的正、负电荷，并在介质中建立电场而具有电场能量。 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。 （五）PN结电容（续） 注意：势垒电容和扩散电容均是非线性电容,并同时存在。外加电压变化缓慢时可以忽略，但是变化较快时不容忽略。 ?扩散电容CD 外加电压不同情况下，P、N区多子浓度的分布将发生变化，扩散区内电荷的积累与释放过程与电容充放电过程相同，这种电容等效为扩散电容。 一、晶体二极管的结构类型 二、晶体二极管的伏安特性 三、晶体二极管的等效电阻 四、光电二极管 五、发光二极管 六、稳压二极管 七、变容二极管 八、二极管的典型应用 2.3 晶体二极管 一、晶体二极管的结构类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分 点接触型 面接触型 平面型 伏安特性：是指二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系。 由PN结电流方程求出理想的伏安特性曲线， 1.当加正向电压时 PN结电流方程为： 2.当加反向电压时 I 随U↑，呈指数规率↑ I ≈ - Is I基本不变 二、晶体二极管的伏安特性 0 0. 8 反向特性 锗管 正向特性 mA / D i V / D u 实际二极管的伏安特性曲线 硅管 0 0. 8 反向特性 正向特性 击穿特性 mA / D i V / D u (2) 有死区（iD≈0的区域) 1．正向特性 死区电压约为 硅管0.5 V 锗管0.1 V O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (1) 近似呈现为指数曲线，即 T U u I i D e S D ? 二、晶体二极管的伏安特性（续） (3) 导通后（即uD大于死区电压后） 管压降uD 约为 硅管0.6~0 .8 V 锗管0.2~0.3 V 通常近似取uD 硅管0.7 V 锗管0.2 V O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD 即 uD略有升高， iD急剧增大。 T T U u U i U I du di T D S D D 1 e D ? ? 二、晶体二极管的伏安特性（续） 2．反向特性 IS= 硅管小于0.1微安 锗管几十到几百微安 (1) 当 时， 。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (BR) D U u S D I i ? 二、晶体二极管的伏安特性（续） (2) 当 时， 反向电流急剧增大， 击穿的类型 根据击穿可逆性分为 电击穿 热击穿 二极管发生反向击穿。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (BR) D U u 二、晶体二极管的伏安特性（续） 非线性电阻 用直流电阻 (也称静态电阻）和交流电阻（又称动态电阻或微变电阻）来描述二极管的电阻特性。 1.直流电阻RD的计算方法 定义 二极管两端的直流电压UD与电流ID之比 ID I U UD D 三、晶体二极管的等效电阻 UQ IQ 三、晶体二极管的等效电阻(续） 直流电阻的求解方法： 借助于静态工作点Q（IQ，UQ）来求。 ID ED D RL UD 方法一：解析法 列写二极管电流方程和电路方程： 解方程组，得到二极管静态工作电流IQ和电压UQ， 三、晶体二极管的等效电阻(续） 方法二：图解法 ID ED D RL UD I U U=ED-IRL 绘制直流负载线 U=0 I=ED/RL I=0 U=ED ED/RL ED Q IQ UQ 由静态工作点Q点得IQ和UQ，从而求出直流电阻 直流负载线与伏安 特性曲线的交点 由电路可列出方程： 2.交流电阻rD的计算方法 RL ED D u I Q U ?U ? I 室温（T=300K）下,UT=26mV。 交流电阻：r=26mV/ IQ (mA) 定义： 注意:交流电阻rD与其静态工作点Q有关，其大小取决于其直流工作电流。 说明：二极管正偏时， rD很小（几至几十欧姆） 二极管反偏时，rD很大（几十千至几兆欧姆）。 rD的实质是正向特性曲线静态工作点处切线的1/斜率 二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。使用时其正向平均电流I应