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本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制备方法，所述ESD保护结构包括：第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极，所述源极上设置有隔离层；栅结构和开口部，所述开口部设置于所述体区内且位于所述栅结构与所述漏极之间；当静电正电流涌入时，所述体区的电势升高，使得在所述源极与所述体区之间达到开启阈值电压，引起寄生NPN双极晶体管导通；通过调节所述开口部的宽度，可以实现对触发电压的调制。本发明还提供一种触发电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113629052 B
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202111184749.2 (51)Int.Cl.
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