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本发明涉及一种制备单双层交替石墨烯的方法，包括如下步骤：S1：将铜箔放置于气相沉积炉中，并放入石墨盒、石墨纸、石墨片、石墨屑中的任一种或多种，再往所述气相沉积炉内通入氩气，将所述气相沉积炉加热至温度为1000‑1080℃；S2：往所述气相沉积炉内通入氢气，将所述铜箔退火；S3：往所述气相沉积炉内通入甲烷，减小氢气的通入量，开始生长过程；S4：控制所述气相沉积炉进行一次或以上的温度变化，每次温度变化是从1000‑1080℃降至650‑750℃后立即重新升至1000‑1080℃；S5：保持所述气相沉
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115321527 A
(43)申请公布日 2022.11.11
(21)申请号 202210759756.9
(22)申请日 2022.06.30
(71)申请人 华南师范大学
地址 510006
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