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- 2023-06-28 发布于四川
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本申请实施例提供了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。该量子点发光二极管,包括:层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和量子点层;空穴传输层是氧化镍和第一金属氧化物的混合层;第一金属氧化物与氧化镍的晶格失配度小于预设值,第一金属氧化物的价带能级比氧化镍价带能级低。该量子点发光二极管的制备方法,包括如下步骤:在衬底上形成层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和量子点层。本申请实施例对量子点发光二极管的性能进行优化,能够提高发光强度、提高器件效率和延长器件寿命。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113675348 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202010402249.0 H10K 59/10 (2023.01)
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