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深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘.pdfVIP

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  • 2023-06-28 发布于四川
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深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘.pdf

    本公开提供了一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘，属于光电子制造技术领域。该生长方法包括：提供一石墨盘，所述石墨盘的表面沉积有一层隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层；在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构；采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘。本公开能在生长完成外延结构后对石墨盘表面的残留物进行有效清理，提高石墨盘的使用寿命，且降低清理成本。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113659046 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 202110691678.9 C30B 29/40 (2006.01)

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