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一种集成电路(IC)结构、IC器件、IC器件组件及其形成方法。IC结构包括晶体管器件，晶体管器件包括：沟道结构，包括半导体材料；栅极堆叠体，包括金属，栅极堆叠体在沟道结构上；源极结构，在栅极堆叠体的第一侧处的第一沟槽中；漏极结构，在栅极堆叠体的第二侧处的第二沟槽中；源极结构和漏极结构中的各个结构包括源极或漏极(源极/漏极)衬层，源极或漏极衬层包括与第一沟槽和第二沟槽中的对应沟槽的表面共形的掺杂外延层；填充结构，填充第一沟槽和第二沟槽中的对应沟槽的一部分，填充结构与源极/漏极衬层相邻并且与源极/漏
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116344538 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202211468088.0 H01L 29/41 (2006.01)
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