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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-28 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述源漏层和所述隔离层表面形成介质层；在所述介质层内形成开口和位于所述开口底部的接触孔，所述开口暴露出所述源漏层顶部表面，所述接触孔还位于所述隔离层内，以暴露出所述埋地电源线的顶部表面；采用第一选择性生长工艺在所述接触孔暴露出的所述埋地电源线表面形成接触层；形成所述接触层后，在所述开口暴露出的介质层表面形成阻挡层；形成所述阻挡层后，在所述开口内形成导电层，接触层可以选择性在埋入电源线表面生长，利于提高接触孔的填充能力，避免了氮化钛材料对接触电阻的不良影

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344536 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202111594641.0 (22)申请日 2021.12.23 (71)申请人 中芯国际集成电路

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