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本发明提供一种SOIMOS器件及其制备方法，所述SOIMOS器件包括：基底、偏置电极结构、栅极结构、源区、漏区、栅极金属层、源极金属层及漏极金属层，其中基底包括衬底、埋氧层、有源层、空腔及设置于空腔顶部的空腔口；偏置电极结构包括覆盖空腔内壁的介电层、填充所述的导电层及与所述导电层电连接的偏置电极，介电层包裹导电层；栅极结构包括栅极及栅介质层；源区及漏区分别位于栅极结构的两侧的有源层中；栅极金属层、源极金属层及漏极金属层分别与栅极、源区、漏区电连接。本发明的SOIMOS器件及其制备方法通过偏
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116344624 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202310325989.2
(22)申请日 2023.03.29
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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