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具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-06-28 发布于四川
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具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用.pdf

    本发明提供一种具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；漏端引入浮空场板，改善此处的曲率效应，提高耐压。在终端则把第二导电类型漂移区的边界移动到漏端，利用漏端的浮空等势场板的作用把漂移区两端的电位钳位，没有产生电位差，从而避免了Psub和漂移区结的击穿。纵向浮空场板呈环形承担大部分耐压，并且把第二导电类型漏端重掺杂区的边界移动到和第二导电类型漂移区的边界一致，避免其产生N+N结，导

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113658999 B (45)授权公告日 2023.03.28 (21)申请号 202110964582.5 CN 105070759 A,2015.11.18 (22)申请日 20

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