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- 2023-06-28 发布于四川
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一种含有阴极短接槽栅结构的功率二极管,其元胞结构包括:n型掺杂的漂移区,n型掺杂的漂移区的底部设有阴极结构,以及n型掺杂的漂移区顶部设有阳极结构,阳极结构包括至少一个p型掺杂的第一阳极区和至少一个p型掺杂的第二阳极区,p型掺杂的第一阳极区与p型掺杂的第二阳极区在水平方向上交替排列,阴极结构包括至少一个n型掺杂的阴极区,至少一个p型掺杂的阴极区以及至少一个n型掺杂的缓冲区。本发明提供的功率二极管能够提高反向恢复软度从而消除反向恢复过程中的电流和电压的震荡,并且能降低反向恢复电荷,具有较强的实用性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113659014 B
(45)授权公告日 2022.01.18
(21)申请号 202111220706.5 CN 104538374 A,2015.04.22
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