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- 2023-06-28 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，所述基底包括相背的第一面和第二面，所述第一面包括第一有源区，所述第二面包括第二有源区；第一晶体管，位于所述基底的第一面上，所述第一晶体管包括位于第一有源区的基底上的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧第一有源区内的第一源漏掺杂区；第二晶体管，位于所述基底的第二面上，所述第二晶体管包括位于第二有源区的基底上的第二栅极结构、以及位于所述第二栅极结构两侧第二有源区内的第二源漏掺杂区。本发明实施例基底的两面均形成有晶体管，有利于提高晶体管的密度和集成度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116344450 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202111594469.9
(22)申请日 2021.12.23
(71)申请人 中芯国际集成电路
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