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- 2023-06-28 发布于四川
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本申请公开了一种具有环形阻隔带的籽晶及其加工方法，属于半导体材料技术领域。该籽晶生长面具有一个环形阻隔带；所述环形阻隔带区域内生长的目标晶体的缺陷密度为X，所述环形阻隔带区域外生长的晶体的缺陷密度为Y，所述X小于Y。在长晶过程中，具有该环形阻隔带的籽晶能够制备得到具有环形形貌的晶体，晶体中形成的环形形貌能够防止晶体缺陷向环形形貌内的区域延伸，使得环形阻隔带区域内生长的晶体质量高于环形阻隔带区域外生长的晶体质量，从而得到高质量的晶体。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113652748 B
(45)授权公告日 2022.08.26
(21)申请号 202110948696.0 (51)Int.Cl.
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