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- 2023-06-28 发布于四川
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本申请公开了一种小角晶界少的碳化硅晶体、衬底及其制备方法。该碳化硅晶体碳化硅晶体具有环形形貌，环形形貌自第一主表面贯穿延伸至第二主表面，环形形貌包括刃位错。本申请制备了一种包含环形形貌的碳化硅晶体，在掌握其相关形成机理及测试方法后加以对其进行应用，从而变废为宝用以进行碳化硅边缘质量的优化，借助该环形形貌即刃位错墙用以防止碳化硅长晶过程中形成的边缘位错向内滑移、边缘小角晶界向内延伸，并借助特殊的加工设备及工艺得到高质量的碳化硅衬底。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113652749 B
(45)授权公告日 2022.07.12
(21)申请号 202110948698.X (51)Int.Cl.
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