具有绝缘区的半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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具有绝缘区的半导体装置及其制造方法.pdf

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本公开涉及具有绝缘区的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置的实施例包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的第一介电层、第一载流电极和第二载流电极。控制电极形成于所述半导体衬底上并且设置在所述第一载流电极与所述第二载流电极之间。导电元件形成于所述第一介电层上，邻近所述控制电极并且在所述控制电极与所述第二载流电极之间，所述导电元件包括形成为距所述半导体衬底的所述上表面第一距离的第一区和形成为距所述半导体衬底的所述上表面第二距离的第二区。绝缘区形成于所述控制电极与所述导电元件之间。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344609 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202211471788.5 (22)申请日 2022.11.23 (30)优先权数据