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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-28 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一隔离区、器件区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区宽度不同；在器件区上形成第一初始掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三初始掩膜结构，第一初始掩膜结构与第一隔离区相邻，第三初始掩膜结构与第二隔离区相邻，若干第二掩膜结构位于第一初始掩膜结构和第三初始掩膜结构之间；进行若干次循环处理，以减小第一初始掩膜结构的宽度和第三初始掩膜结构的宽度的宽度差，形成第一掩膜结构和第三掩膜结构；以第一掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三掩膜结构为掩膜，刻蚀第一隔离区、

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344451 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202111594658.6 (22)申请日 2021.12.23 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限

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