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- 2023-06-28 发布于四川
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本申请提供了一种半导体器件的外延结构及其制备方法及半导体器件，该外延结构包括：衬底、成核层和缓冲层；成核层设置于所述衬底上；缓冲层设置于成核层上；衬底对应的电阻率和缓冲层对应的掺杂浓度满足预设的电阻率与掺杂浓度的对应关系。该半导体器件的外延结构可以通过优化衬底电阻率与外延层掺杂浓度间的匹配关系，实现高阻缓冲层的作用，同时因为控制了掺杂浓度，从而保证了晶体质量，进而可以使器件获得更好的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116344606 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202111596053.0
(22)申请日 2021.12.24
(71)申请人 苏州能讯高能半导体有限公司
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