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本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法,该TFT阵列基板包括:衬底基板;形成在所述衬底基板上的氧化物导电层,所述氧化物导电层包括公共电极;形成在所述氧化物导电层上的第一金属层,所述第一金属层包括公共电极线、扫描线、栅极和透明区域,所述透明区域由所述第一金属层通过透明化处理形成,所述透明区域和所述公共电极线均对应位于所述公共电极上方,且所述公共电极线与所述公共电极电性连接,所述栅极与所述扫描线相连,且所述栅极和所述扫描线均与所述公共电极相互间隔。该TFT阵列基板的公共电极、公共电极线、扫描线和栅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690181 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110957236.4
(22)申请日 2021.08.19
(71)申请人 昆山龙腾光电股份有限公司
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