数字电子线路.pptVIP

第一页，共三十四页，2022年，8月28日 2、增强型MOSFET的开关特性 vDS iD 0 BVDS VGS1 VGS2 VGS3 VGS(th) 可变电 阻区 恒流区 击 穿 区 截止区 ○ ○ ○ ○ G D S B （1）N沟道增强型MOSFET： （NMOS） D S 断开 D S 导通 （几百欧） 第二页，共三十四页，2022年，8月28日 ○ ○ ○ ○ G D S B D S 导通 （几百欧） （2）P沟道增强型MOSFET： D S 断开 注：PMOS的VGS(th)为负值 第三页，共三十四页，2022年，8月28日 +VDD S D A S G Y 1、CMOS反相器的电路结构 CMOS电路 Complementary -Symmetry MOS（互补对称式MOS） （负载管） （驱动管） PMOS管 NMOS管 2.7.1 CMOS反相器 第四页，共三十四页，2022年，8月28日 +VDD S D A S G Y 2、工作原理 PMOS管 NMOS管 假设： ① VA=0V， NMOS管截止； PMOS管导通； Y=“1” A=“0” 第五页，共三十四页，2022年，8月28日 +VDD S D A S G Y 2、工作原理 PMOS管 NMOS管 假设： ① VA=0V， NMOS管截止； PMOS管导通； Y=“1” A=“0” ② VA=VDD， A=“1” NMOS管导通； PMOS管截止； Y=“0” 实现反相功能 第六页，共三十四页，2022年，8月28日 3、CMOS反相器的外部特性 （1）电压传输特性 ①阈值电压： A Y ?反相器截止 ?反相器导通 ②转折区变化率很大，接近理想开关。 ③输入端噪声容限大 截止区 转折区 导通区 第七页，共三十四页，2022年，8月28日 （2）电流传输特性 ①稳态时，iD很小，静态功耗很低。 ②状态发生变化时，iD较大， 动态功耗较大。 第八页，共三十四页，2022年，8月28日 （3）输入伏安特性 CMOS反相器输入电压的正常范围是： 在此输入电压范围内， （栅极不取电流） 输入保护电路（P81)： MOSFET具有很高的输入阻抗，若输入端存在漏电流，就会产生极高的压降，致使SiO2层被击穿，因此一般都加保护。 第九页，共三十四页，2022年，8月28日 （4）输出特性 低电平输出特性： 高电平输出特性： 灌电流负载 拉电流负载 第十页，共三十四页，2022年，8月28日 （5）传输延迟特性 由于CMOS电路具有互补对称的性质，因此其导通延迟时间和截止延迟时间是相等的，平均传输延迟时间小于10ns。 CMOS反相器驱动其他MOS器件时，负载的输入阻抗是电容性的，在输出发生状态转换时，存在电容的充放电过程，这是影响其工作速度的主要原因。 tpHL＝ tpLH 第十一页，共三十四页，2022年，8月28日 2.7.3其他类型的CMOS门电路 1、CMOS与非门 +VDD A Y T2 T1 B T3 T4 S S S S G G F = 结构特点： NMOS管串联；PMOS管并联 n个输入端的与非门，必有n个NMOS管串联； n个PMOS管并联。 ①A、B当中有一个或全为低时，T2、T4中有一个或全部截止，T1、T3中有一个或全部导通，输出Y为高电平。 ②只有当输入A、B全为高时，T2和T4才会都导通，T1和T3才会都截止，输出Y才为低电平。 第十二页，共三十四页，2022年，8月28日 2、CMOS或非门 +VDD B Y T2 T3 A T4 T1 S S S S G G F = A B T1 T2 T3 T4 F 工作原理: ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 0 0 0 1 1 0 1 1 ? ? ? ? 1 0 0 0 结构特点： NMOS管并联；PMOS管串联 n个输入端的或非门，必有n个NMOS管并联； n个PMOS管串联。 输出电阻 第十三页，共三十四页，2022年，8月28日 +VDD B Y T2 T3 A T4 T1 S S S S G G F = +VDD A Y T2 T1 B T3 T4 S S S S G G F = 存在缺陷： (1)输出电阻的大小受输入状态影响； (2)输出的高、低电平受输入端数目的影响。 输入端数目增加,与非门串联的驱动管增多,或非门串联的负载管增多,使总的导通电