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2023-06-30 发布于四川
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本发明涉及一种半导体器件，包括：衬底；漂移区，形成于衬底上；第一掺杂区，形成于所述漂移区表面；第二掺杂区，形成于所述漂移区外、所述衬底上；绝缘隔离结构，形成于所述漂移区表面、所述第一掺杂区与第二掺杂区之间；栅极结构，包括栅电极和栅介电层，栅电极形成于漂移区上，且栅电极的一端延伸至绝缘隔离结构上、另一端延伸至第二掺杂区，栅介电层形成于栅电极下方，栅电极形成有镂空部，镂空部包括至少一个镂空单元，镂空部不将栅电极在导电沟道宽度方向上整个截断。本发明在漂移区上方的栅电极形成镂空部，因此漂移区在形成镂空部

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707715 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202010436625.8 (22)申请日 2020.05.21 (71)申请人无锡华润上华科技有限公司

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