1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利
网站大量收购闲置独家精品文档，联系QQ：2885784924

半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

    1. 1、本文档共17页，其中可免费阅读16页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
    2. 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
    3. 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    4. 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    5. 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
    6. 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
    7. 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
    8. 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
    查看更多
    一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在导电层上形成介质层；在所述介质层内形成暴露出所述导电层顶部表面的第一开口，且所述第一开口沿垂直于第一开口侧壁方向上具有第一尺寸；刻蚀所述第一开口底部暴露出的导电层，在所述导电层内形成初始第二开口；对所述初始第二开口侧壁和底部暴露出的导电层进行至少一次改性刻蚀处理，在所述导电层内形成第二开口，所述第二开口沿垂直于第二开口侧壁方向上具有第二尺寸，且所述第二尺寸大于第一尺寸。所述方法能够提高形成的半导体结构的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707599 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 20201

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    知识产权出版社 + 关注
    官方认证
    文档贡献者

    知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

    咨询Ta 进入空间
    认证主体北京中献电子技术开发有限公司
    IP属地四川
    统一社会信用代码/组织机构代码
    91110108102011667U

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >