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本申请提供了负极极片、电化学装置和电子装置。负极极片包括:集流体;活性材料层,位于集流体上;其中,活性材料层包括硅基材料、碳材料和粘结剂,两处相同面积且不同位置处的活性材料层中的硅元素的质量比分别为X1和X2,X2≥X1,M=X1/X2,其中M≥0.7;其中,两处相同面积且不同位置处的活性材料层中的锂元素的质量比分别为Y1和Y2,Y2≥Y1,N=Y1/Y2,其中N≥0.5。本申请的实施例通过改进负极极片的活性材料层中的硅元素的分散均匀性,有利于提升锂元素的脱嵌和嵌入的均匀性,改善了硅基材料在循环
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113711385 A
(43)申请公布日 2021.11.26
(21)申请号 202080027248.0 H01M 4/131 (2010.01)
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