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本发明涉及用有微柱的半导体管芯形成DCALGA封装的方法和半导体器件。半导体器件具有布置在衬底之上的第一半导体管芯。在半导体管芯之上形成多个复合互连结构。复合互连结构具有不可熔导电柱和在不可熔导电柱之上形成的可熔层。可熔层被回流以将第一半导体管芯连接到衬底的导电层。不可熔导电柱在回流期间不熔化，从而消除了在衬底之上形成阻焊剂的需要。将密封剂沉积在第一半导体管芯和复合互连结构周围。密封剂在第一半导体管芯的有源表面和衬底之间流动。第二半导体管芯相邻于第一半导体管芯布置在衬底之上。散热器布置在第一半导
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690179 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110994231.9 H01L 23/538 (2006.01)
(22)申请日
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