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一种半导体晶体高速机械刻划试验方法,包括以下步骤,a.将半导体晶体试件固定放置在旋转装置上,利用调速器调整转速,通过测速仪对旋转装置的转速进行实测和记录;b.通过驱动刻划装置直线移动,实现在半导体晶体试件的不同位置进行机械刻划加工;刻划装置上可同时设置一个或多个相同或不同的刻划压头;划刻压头与半导体晶体试件的相对位置可以手动微调;通过测力仪记录机械刻划过程中的刻划力;c.机械刻划加工完成后,取下半导体晶体试件,通过检测、分析半导体晶体试件表面的划痕径向位置、划痕形貌、划痕深度、裂纹损伤、实测的旋
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113686679 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110989331.2 B28D 7/00 (2006.01)
(22)申请日 20
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