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本公开提供了一种闪存阵列。根据本公开的闪存阵列包括：多个闪存单元，沿行方向和与行方向垂直的列方向排列；多个字线组，沿行方向延伸；以及多个位线组，沿列方向延伸，其中，在字线组和位线组的交点处设置有闪存单元对，所述闪存单元对包括在行方向上相邻的共享同一个位线组的第一闪存单元和第二闪存单元。根据本公开的闪存阵列可以在不增大阵列尺寸的情况下提高位线的布置密度并且可以降低位线寄生电阻。此外，较之现有技术的闪存阵列，根据本公开的闪存阵列还具有更好的工艺兼容性和微缩特性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113689893 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110989487.0
(22)申请日 2021.08.26
(71)申请人 北京磐芯微电子科技有限公司
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