基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器.pdfVIP

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2023-07-01 发布于四川
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基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器.pdf

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本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器，包括：CMOS测量电路系统和其上的CMOS红外传感结构，采用全CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括反射层、红外转换结构和多个柱状结构，及位于反射层上的介质保护层以及刻蚀阻挡层；柱状结构包括叠加设置的至少两层立柱，位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；每层立柱均可为实心金属柱、非金属实心柱或空心柱中的至少一种；介质保护层包围柱状结构的侧面，刻蚀阻挡层至少

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113720483 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202110324096.7 (22)申请日 2021.03.26 (71)申请人北京北方高业科技有限公司